ايران ويج

با سلام

من یه سری مطالب درباره نحوه ذخیره سازی اطلاعات روی فلش مموری و روی آی سی EEPROM میخوام.

با تشکر.

تا جایی که من میدونم:
سلولهای حافظه که 0 یا یک منطقی رو ایجاد کرده و در خود ذخیره میکنند از یک ترانزیستور و یک خازن تشکیل میشن. وقتی ترانزیستور قطع یا وصل میشه، جریان هم قطع و وصل میشه و در پی اون خازن شارژ یا دشارژ میشه .سطح ولتاژ خازن در حالت دشارژ نمایانگر 0 منطقی(در خانواده TTL مقدار 0 تا1.5 ولت) و در حالت شارژ (3.5 تا 5 ولت) نمایانگر 1 منطقی هستش. حالا هرکدوم از این سلولهای حافظه همون یک بیت دیجیتال خودمونو هستن و هر 4 بیت یک نیبل و هر دو نیبل یک بایت و هر دو بایت یک کلمه و ........ تاجایی که حافظه های بزرگ امروزی پدید میان.
اگه امپدانس مسیر جریان در ترانزیستور در حالت قطع بسیار بینهایت(چون معمولاً ما به 470 کیلو هم میگیم بینهایت) باشه،وقتی ترانزیستور قطع میشه مسیر ارتباطی خازن با مدار هم قطع میشه و بار ها گیر میفتن و به این ترتیب ارزش منطقی هم حفظ میشه.

امیدوارم این مطالب به دردتون بخوره

شرمنده امپدانس چیه ؟ یه کم دربارش توضیح میدید؟

با تشکر.

سلام
امپدانس یعنی همون مقاومت ظاهری عنصر تو حالت متناوب

---

اطلاعات بیشتر میخایی برو کتابهای مدار یک و دو بخون تا حالت از اونا به هم بخوره!!!

(۰۷-اسفند-۱۳۸۷, ۲۲:۵۲:۵۳)ilgar نوشته است: [ -> ]تا جایی که من میدونم:
سلولهای حافظه که 0 یا یک منطقی رو ایجاد کرده و در خود ذخیره میکنند از یک ترانزیستور و یک خازن تشکیل میشن. وقتی ترانزیستور قطع یا وصل میشه، جریان هم قطع و وصل میشه و در پی اون خازن شارژ یا دشارژ میشه .سطح ولتاژ خازن در حالت دشارژ نمایانگر 0 منطقی(در خانواده TTL مقدار 0 تا1.5 ولت) و در حالت شارژ (3.5 تا 5 ولت) نمایانگر 1 منطقی هستش. حالا هرکدوم از این سلولهای حافظه همون یک بیت دیجیتال خودمونو هستن و هر 4 بیت یک نیبل و هر دو نیبل یک بایت و هر دو بایت یک کلمه و ........ تاجایی که حافظه های بزرگ امروزی پدید میان.
اگه امپدانس مسیر جریان در ترانزیستور در حالت قطع بسیار بینهایت(چون معمولاً ما به 470 کیلو هم میگیم بینهایت) باشه،وقتی ترانزیستور قطع میشه مسیر ارتباطی خازن با مدار هم قطع میشه و بار ها گیر میفتن و به این ترتیب ارزش منطقی هم حفظ میشه.

امیدوارم این مطالب به دردتون بخوره

تا اونجا که من می دونم این مال RAM های داینامیک ارزون ترین رم ممکن که خیلی هم بی کلاسه چون هر چند میلی ثانیه یه بار باید بخونی و توش بنویسی چون پاک می شن

ولی من فکر نمی کنم این طور باشه چون تو رم ها فقط یه خازن هست که بعد مدتی دشارژ میشه و باید دوباره اون رو نوشت.ولی تو آی سی هایی مثل آی سی های فلش ها (طبق گفته ilgar ) از یه ترانزیستور و یه خازن استفاده شده که ترانزیستور جلوی دشارژ شدن خازن رو میگیره.

با تشکر.

نه. تا اونجایی که منم فهمیدم این ساختار رم هاست.
فلش مموری ها(Rom ها) از یه ساختار کریستالی استفاده میکنن. که درحالت سالم جریانو عبور میدن و وقتی شکسته میشن (در PROM ها با جریان الکتریکی ) جریانو عبور نمیدن که همون صفر و یک میشن. و در EPROM ها با نور فکر کنم ماورائ بنفش میشد شکست ها رو دوباره سالم کرد که همون پاک کردن اطلاعات میشه که در EEPROM ها این پاک کردن هم با جریان الکتریکی انجام میشه. و فلش مموری تا اونجایی که من میدونم از ساختار EEPROM استفاده میکنه.
یه سری به سایتهایی مثل howstuffworks یا wikipedia بزن.

سلام
من کتاب میکروپروسسورها رو که نگاه می کردم نوشته بود که حافظه های فلش از نوع eeprom سریع هستند

ولی تو AVR ها معلوم نیست چرا هر بایت نوشتن 5 میلی ثانیه طول می کشه .
سری 24 هم همچین توفیقی ندارن .

نکنه کتابه قبل Z80 بوده .

سلام
کتابی که میگم اسمش میکروپرسسورهای z80,8085, ترجمه سپیدنام( همشهری شما ) هستش
البته من شنیدم که میگن این تاخیری که تو نوشتن حافظه میدیم لازم نیست ( میگن تو سایت بیسکام نوشته)
حالا راسته یا دروغه نمی دونم!!
تو خوندنش هم که تاخیری لازم نیست

تو هلپ خود بسکام رو بخونید این قضیه رو گفته .

تو عمل هم دقیقا 5 میلی ثانیه خود بسکام تاخیر می ده . ( یادمه تو یه برنامه مجبور بودم کل EEPROM میکروی ATmega32 رو بخونم و خیلی طول می کشید و مجبور شدم برای قسمت کاربریش یه LIADING بذارم . ) ( 5 ثانیه طول می کشید که 0 99 درصد رو صفحه نمایش نشون داده می شد .

البته شاید چون از EEprom داخلی استفاده می کنه اینطوری باشه .

این سپید نام هم مال دانشگاه فردوسی هستش و بروبچز فردوسی می گن بیشتر ترجمه ها رو دانشجویانش می کنن . ( من شخصا هر موقع کتابهاشو مثل موریس مانو و 8051 رو خریدم منصرف شدم و یه ترجمه دیگه رفتم دوباره گرفتم )