ايران ويج

سلام
یه حافظه ram حداقل ۱۲۸ بایت نیاز دارم که ورودی خروجیش باینری باشه.
دوستان کسی شماره آی سی میتونه معرفی کنه؟

پیشاپیش ممنونم

سلام
درخصوص پروژتون بیشتر توضیح بدید؟
هدفتون چی هست؟
آی سی که فکر نکنم گیر بیارید
با همون حافظه میکرو میتونید یه کارهایی انجام بدید

سلام.. با پروتکل i2c کار میکنه
ای سی 24cxxx
برلی مثال
24c256

(۲۶-آبان-۱۳۹۲, ۱۶:۵۶:۴۰)r0b0 نوشته است: [ -> ]سلام
درخصوص پروژتون بیشتر توضیح بدید؟
هدفتون چی هست؟
آی سی که فکر نکنم گیر بیارید
با همون حافظه میکرو میتونید یه کارهایی انجام بدید

توی مدارم از میکرو استفاده نکردم.
میخوام ۱۲۸ تا خونه ۸ بیتی داشته باشم که ورودی این آی سی رو با مبدل adc بار کنم.

(۲۶-آبان-۱۳۹۲, ۱۸:۴۲:۳۶)EBKA نوشته است: [ -> ]سلام.. با پروتکل i2c کار میکنه
ای سی 24cxxx
برلی مثال
24c256

سلام
مهندس مگه اینا آی سی های حافظه eeprom نیستن
دوستمون برای حافظه ram نیاز داشتن
که فکر کنم نشه گیر آورد(شاید!)

کلی گشتم ولی چیزی پیدا نکردم. آقا جایی میشناسین که سفارش آی سی dip یا smd فرقی نمیکنه بگیرن. چون خودم میدونم مدار داخلی آی سی های رم چطوره

(۲۷-آبان-۱۳۹۲, ۱۱:۲۸:۰۸)morrning نوشته است: [ -> ]کلی گشتم ولی چیزی پیدا نکردم. آقا جایی میشناسین که سفارش آی سی dip یا smd فرقی نمیکنه بگیرن. چون خودم میدونم مدار داخلی آی سی های رم چطوره

شماره آی سی رو به راحتی نمیتونید گیر بیارید
اگر هم شماره آی سی رو گیر آوردید خودش و نمیتونید گیر بیارید:|

بهترین کار اینه همون مدار داخلیش و طراحی کنید
یه چندتا مطلب از سرچ گوگل واستون پیدا کردم
بد نیست مطالعه کنید
http://www.instructables.com/id/DIY-RAM-...ster-Style
http://www.instructables.com/id/DIY-CMOS-RAM-Memory

برای مدار داخلی حافظه ram هم میتونید گوگل(قسمت تصاویر) سرچ بزنید"circuit ram memory" یه سری طرح و نقشه براش میاره


خوش باشید.

خیلی ممنونم واسه راهنماییتون
به نظرتون از FPGA برای ساخت رم استفاده کنم چطوره؟ vhdl بلدم ولی تا حالا با fpga کار نکردم

K9F2G08U0B nand flash-original
از این ای سی میتونی استفاده کنی
K9F2G08U0B
K9F2G08B0B P r e l i m inary
Samsung Confidential
GENERAL DESCRIPTION
FEATURES
• Voltage Supply
- 2.7V device(K9F2G08B0B): 2.50V ~ 2.90V
- 3.3V device(K9F2G08U0B): 2.70V ~ 3.60V
• Organization
- Memory Cell Array : (256M + 8M) x 8bit
- Data Register : (2K + 64) x 8bit
• Automatic Program and Erase
- Page Program : (2K + 64)Byte
- Block Erase : (128K + 4K)Byte
• Page Read Operation
- Page Size : (2K + 64)Byte
- Random Read : 25μs(Max.)
- Serial Access : 25ns(Min.)
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
• Fast Write Cycle Time
- Page Program time : 200μs(Typ.)
- Block Erase Time : 1.5ms(Typ.)
• Command/Address/Data Multiplexed I/O Port
• Hardware Data Protection
- Program/Erase Lockout During Power Transitions
• Reliable CMOS Floating-Gate Technology
-Endurance : 100K Program/Erase Cycles(with 1bit/512Byte
ECC)
- Data Retention : 10 Years
• Command Driven Operation
• Unique ID for Copyright Protection
• Package :
- K9F2G08X0B-PCB0/PIB0 : Pb-FREE PACKAGE